N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2廓

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

文件：676.59 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：269.69 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2廓

文件：398.63 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，24 A，200 mΩ，TO-3P

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功 •RDS(on) = 166mΩ （典型值）（在VGS = 10V，ID = 12A时）\n•低栅极电荷（典型值 65nC） \n•低 Crss（典型值 32pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体