N-Channel SuperFET MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

N 沟道 SuperFET® III MOSFET

SuperFET® III MOSFET 是 ON Semiconductor 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端 dv/dt 额定值。 因此，SuperFET III MOSFET 非常适用于系统小型化和高效化的各种功率系统。 •TJ = 150°C 时为 700 V\n• Higher system reliability at low temperature operation\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 35 nC)\n• Lower switching loss\n•低电平有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 345 pF）\n• Lower switching loss\n• Optimized Capacitance\n• Lower peak Vds and lower Vgs oscillation\n• Internal Gate Resistance: 4.6 ohm\n• Lo;

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