首页>FCP9N60N>规格书详情

FCP9N60N中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,9 A,385 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FCP9N60N

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,9 A,385 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 10:31:00

人工找货

FCP9N60N价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FCP9N60N规格书详情

描述 Description

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•RDS(on) = 330mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 4.5A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 22nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 106pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCP9N60N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :83.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :385

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :930

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild/ON
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
询价
Fairchild
23+
33500
询价
FAIRCHILD/仙童
2223+
TO-220
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
onsemi(安森美)
24+
TO-220
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
FAIRCHILD
原装
12002
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
39197
郑重承诺只做原装进口现货
询价
FSC
23+24
TO-220
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
询价
FAIRCHILD/仙童
2410+
TO-220
3200
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
询价
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价