FCP9N60N中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,9 A,385 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书
FCP9N60N规格书详情
描述 Description
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 330mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 4.5A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 22nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 106pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FCP9N60N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:600
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:9
- PD Max (W)
:83.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:385
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:22
- Ciss Typ (pF)
:930
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
原装 |
12002 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
FSC |
23+24 |
TO-220 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2410+ |
TO-220 |
3200 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |