功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，6 A，850 mΩ，TO-220

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 此外，内部的栅源极 ESD 二极管使产品可承受超过 2 kV 的 HBM 冲击应力。 因此，SuperFET IIMOSFET 非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电源适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。 •典型值 RDS(on) = 710 mΩ（典型值）\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 22 nC)\n•低 Low Eoss （典型值 2.3 uJ @ 400V)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 106 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•改进了 ESD 防护能力;

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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