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FCP16N60	文件：1.13317 Mbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET™ is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, pro 文件：1.13317 Mbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWM Combination Controller Introduction This application note describes step-by-step design considerations for a power supply using the FAN480X controller. The FAN480X combines a PFC controller and a PWM controller. The PFC controller employs average current mode control for Continuous Conduction Mode (CCM) boost converter 文件：620.41 Kbytes 页数：17 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60	文件：439.79 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：439.79 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60	文件：682.46 Kbytes Page：15 Pages	Power Factor Correction Converter Design 文件：682.46 Kbytes 页数：15 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 SuperFET® MOSFET 600 V, 16 A, 260 mΩ SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 •650V @TJ = 150°C\n•典型值 Rds(on) = 0.22O\n•超低栅极电荷（典型值 Qg=55nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss.eff=110pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCP16N60-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60_0703	文件：439.79 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：439.79 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60N	文件：691.21 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170W 文件：691.21 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCP16N60N	文件：301.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
16
PD Max (W)：
134.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
199
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
40.2
Ciss Typ (pF)：
1630
Package Type：
TO-220-3

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更多FCP16N60供应商更新时间2026-4-18 16:01:00

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