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FCH170N60

N-Channel SuperFET짰 II MOSFET

文件:624.07 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH170N60

N-Channel SuperFET II MOSFET

文件:624.34 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FCH170N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:405.36 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FCH170N60

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FAST,600 V,22 A,170 mΩ,TO-247

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET 系列产品。 这项先进技术专用于最小化传导损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化的各种 AC-DC 功率转换。 •650 V @TJ = 150°C\n•典型值 RDS(on) = 150 mΩ\n•超低栅极电荷(典型值 Qg = 42 nC)\n•低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 190 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    600

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    3.5

  • ID Max (A):

    22

  • PD Max (W):

    227

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    170

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    42

  • Ciss Typ (pF):

    2150

  • Package Type:

    TO-247-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSemiconductor
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更多FCH170N60供应商 更新时间2026-10-24 8:31:00