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FCD7N60TF	文件：1.07171 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. Features • 650V @TJ= 150°C • Typ. Rds(on)=0.53Ω • Ultra low ga 文件：1.07171 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCD7N60TM	文件：1.07171 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. Features • 650V @TJ= 150°C • Typ. Rds(on)=0.53Ω • Ultra low ga 文件：1.07171 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCD7N60TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FCD7N60TM-WS	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FCD7N60TF
功能描述：
MOSFET 600V N-CHANNEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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