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FCD7N60TM	文件：1.07171 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFETis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •650V@TJ=150°C •Typ.Rds(on)=0.53Ω •Ultralowga	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD7N60TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD7N60TM-WS	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
7N60	文件：145.23 Kbytes Page：7 Pages	7.4Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
7N60	文件：260.579 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirem	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
7N60	文件：189.43 Kbytes Page：6 Pages	7.4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswi	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
7N60	文件：470.34 Kbytes Page：5 Pages	7Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET ■Description TheET7N60N-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. ■Features ●RDS(ON)=1.20Ω@VGS=10V ●Lowgatecha	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd
7N60	文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages	7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
7N60	文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages	7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
7N60	文件：899.52 Kbytes Page：11 Pages	7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
7N60	文件：898.85 Kbytes Page：11 Pages	7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
7N60	文件：193.88 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
7N60	文件：678.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNell7N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof7A,fastswitchingspeed,lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof600V,andmax.thresholdvoltageof4volts. Theyaredesignedforuseinapplications.suchasswitchedmodepowersu	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
7N60	文件：2.05237 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
7N60	文件：618.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION 7N607N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswitch	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
7N60	文件：193.27 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,600V,RDS(ON)=1.2Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
7N60	文件：1.10604 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
7N60	文件：2.48283 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
7N60A	文件：250.51 Kbytes Page：7 Pages	7A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
7N60A	文件：65.53 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
FCD7N60TM
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FCD7N60TM供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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