FCD7N60TM中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FCD7N60TM规格书详情
描述 Description
SuperFET is, Farichild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.
特性 Features
• 650V @TJ= 150°C
• Typ. Rds(on)=0.53Ω
• Ultra low gate charge (typ. Qg=23nC)
• Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=60pF)
• 100 avalanche tested
产品属性
- 型号:
FCD7N60TM
- 功能描述:
MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
NA |
8850 |
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FAIRCHIL |
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90000 |
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24+ |
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24+ |
TO-252 |
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ON/安森美 |
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TO252 |
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Fairchild/ON |
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FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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ON/安森美 |
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10000 |
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