isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.62Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

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ISC

无锡固电

FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V 7.3 A 620 m廓

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Fairchild

仙童半导体

FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600 V 7.3 A 620 m廓

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，600 V，7.3 A，620 mΩ，DPAK

SuperFET® II MOSFET 是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。 •TJ= 150oC 时为 650 V\n•最大值 RDS(on) = 620 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值Qg = 20nC）\n•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 97 pF）\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高静电放电能力/符合 RoHS 标准\n• RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体