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FCD380N60E	文件：353.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCD380N60E	文件：205.55 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel SuperFET짰 II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD380N60E	文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCD380N60ECT-ND	文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：653.11 Kbytes Page：10 Pages	FCP380N60/FCPF380N60N-ChannelSuperFETIIMOSFET600V,10.2A,380m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60	文件：319.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP380N60E	文件：332.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCP380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCP380N60E	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60	文件：289.59 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCPF380N60	文件：333.18 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FCPF380N60E	文件：322.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCPF380N60E	文件：302.31 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCPF380N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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更多FCD380N60E供应商更新时间2024-4-26 8:50:00

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