Dual 4A High-Speed, Low-Side Gate Drivers

文件：1.72933 Mbytes 页数：24 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Dual 4-A High-Speed, Low-Side Gate Drivers

文件：1.97456 Mbytes 页数：29 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TTL 输入，双反相或非反相输出，峰值 5A 汲电流，5A 源电流，低压侧门极驱动器

FAN3223-25 系列双沟道 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压闭锁功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 沟道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双门驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。 FAN322X 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 。这一双极性器件和 MOSFET 的组合可在 MOSFET 导通 • 业界标准引脚排列 \n• 4.5 到 18V工作范围 \n• 5 A 峰值灌电流/源电流，VDD = 12 V\n• 4.3 A 灌电流/2.8 A 源电流，需 VOUT = 6 V\n• 可选择 TTL 或 CMOS 输入阈值 \n• 双独立驱动器的三个版本：\n• 双沟道反相+使能(FAN3223) \n• 双沟道同相+使能(FAN3224) \n• 双沟道输入(FAN3225) \n• 无输入时内部电阻关闭驱动器 \n• MillerDrive™ 技术 \n• 带 2.2nF 负载时，典型上升/下降时间为 12ns/9ns \n• 典型传播延迟（低于 20 ns）在 1 ns 内与其;

ONSEMI

安森美半导体

双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器

FAN3223-25 系列双沟道 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。驱动器可提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压闭锁功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 沟道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双门驱动应用，如同步整流器。这样还可以并联两个驱动器，从而有效地使驱动单个 MOSFET 的电流能力增加一倍。 FAN322X 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 。这一双极性器件和 MOSFET 的组合可在 MOSFET • 符合 AEC Q-100\n• 业界标准引脚排列 \n• 4.5 到 18V工作范围 \n• 5 A 峰值灌电流/源电流，VDD = 12 V\n• 4.3 A 灌电流/2.8 A 源电流，需 VOUT = 6 V\n• 可选择 TTL 或 CMOS 输入阈值 \n• 双独立驱动器的三个版本：\n• 双沟道反相+使能(FAN3223) \n• 双沟道同相+使能(FAN3224) \n• 双沟道输入(FAN3225) \n• 无输入时内部电阻关闭驱动器\n• MillerDrive™ 技术 \n• 带 2.2nF 负载时，典型上升/下降时间为 12ns/9ns \n• 典型传播延迟（低于 2;

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLP

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体