Gate Drivers, High-Speed, Low-Side, Dual 4-A

Description The FAN3223−25 family of dual 4 A gate drivers is designed to drive N−channel enhancement−mode MOSFETs in low-side switching applications by providing high peak current pulses during the short switching intervals. The driver is available with either TTL or CMOS input thresholds. I

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Dual-2A, High-Speed, Low-Side Gate Drivers

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Dual-4A, High-Speed, Low-Side Gate Drivers

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Dual 2A High-Speed, Low-Side Gate Drivers

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Application Review and Comparative Evaluation of Low-Side Gate Drivers

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Dual 4A High-Speed, Low-Side Gate Drivers

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Dual-4 A, High-Speed, Low-Side Gate Drivers

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Dual-4A, High-Speed, Low-Side Gate Drivers

文件：1.21104 Mbytes 页数：18 Pages

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TTL 输入，双非反相输出，峰值 5A 汲电流，5A 源电流，低压侧门极驱动器

FAN3213系列双通道4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用驱动中的N沟道增强型MOSFET。都提供 TTL 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压闭锁功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。FAN3213/14 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 架构。这一双极MOSFET组合可在MOSFET开/关过程的Miller电场级期间提供高电流 •业界标准引脚排列\n•4.5 到 18 V 工作范围\n•5 A 峰值灌电流/源电流，VDD = 12 V\n•4.3 A 灌电流/2.8 A 源电流，VOUT = 6 V\n•TTL 输入阀值\n•双独立驱动器的两个版本：\n•双通道反向(FAN3213)\n•双通道同相 (FAN3214)\n•无输入时内部电阻关闭驱动器\n•MillerDrive™ 技术\n•带 2.2 nF 负载时，典型上升/下降时间为 12 ns/9 ns\n•典型传播延迟（低于20ns）在1ns内与其他通道匹配\n•并联通道可使电流能力增加一倍\n•标准 SOIC-8 封装\n•额定环境温度为 -40℃ 到 +1;

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双 4 A，高速，低压侧门极驱动器

FAN3213 系列双通道 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用驱动中的 N 沟道增强型 MOSFET。都提供 TTL 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。FAN3213/14 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 架构。这一双极 MOSFET 组合可在 MOSFET 开/关过程的米勒平台效应 •业界标准引脚排列\n•4.5 到 18 V 工作范围\n•5 A 峰值灌电流/源电流，VDD = 12 V\n•4.3 A 灌电流/2.8 A 源电流，VOUT = 6 V\n•TTL 输入阀值\n•双独立驱动器的两个版本：- 双通道反相 (FAN3213) - 双通道同相 (FAN3214)\n•无输入时内部电阻关闭驱动器\n•MillerDrive™ 技术\n•带 2.2 nF 负载时，典型上升/下降时间为 12 ns/9 ns\n•典型传播延迟（低于 20ns）在 1ns 内与其他通道匹配\n•并联通道可使电流能力增加一倍\n•标准 SOIC-8 封装\n•额定环境温度为 -40℃ 到;

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