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F7N	文件：2.36612 Mbytes Page：2 Pages	SINGLE PHASE 1.0AMP SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER 文件：2.36612 Mbytes 页数：2 Pages	DYELEC 迪一电子	DYELEC
F7N3	文件：839.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifiers Edal Series F power rectifiers are stud mounted DO-5 packages. Because the silicon junction is carefully fitted within a glass-to-metal hermetically sealed case, reliable operation is assured, even with extreme humidity and under other severe environmental conditions. The series F power rectifiers 文件：839.3 Kbytes 页数：2 Pages	EDAL	EDAL
F7N60	文件：898.85 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N60；Package：TO-220F；7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.85 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N60	文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N60；Package：TO-220F；7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.89 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N60	文件：899.52 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N60；Package：TO-220F；7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：899.52 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N60	文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N60；Package：TO-220F；7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.89 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N80	文件：899.86 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N80；Package：TO-220F；7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：899.86 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N80	文件：901.09 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N80；Package：TO-220F；7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：901.09 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N80	文件：900.46 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N80；Package：TO-220F；7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：900.46 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F7N80	文件：900.32 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F7N80；Package：TO-220F；7A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：900.32 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

技术参数

P tot：
40
I D：
7
B VDSS：
650
B VGSS：
30
V TH：
2
RDS(on)：
0.88
EAS：
550

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多F7N供应商更新时间2026-10-19 14:02:00

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