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F4100R	文件：217.82 Kbytes Page：2 Pages	3.3V, HCMOS, SMD Oscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F4100R	文件：441.09 Kbytes Page：2 Pages	3.3V, HCMOS , SMD Oscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F4100R06KL4BOSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
F4100R12KS4BOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 130A 660W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
F4100R12N2H3FB11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
F4100R17ME4B11BPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 1700V 155A	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

配置：
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
130A
功率 - 最大值：
430W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.55V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
4.3nF @ 25V
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块

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