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F4100R06KL4BOSA1

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6

Infineon

英飞凌

F4100R12KS4BOSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 130A 660W

Infineon

英飞凌

F4100R12N2H3FB11BPSA1

包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411

Infineon

英飞凌

F4100R17ME4B11BPSA1

Package:模块;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 1700V 155A

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 配置:

    半桥

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    130A

  • 功率 - 最大值:

    430W

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    2.55V @ 15V,100A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies):

    4.3nF @ 25V

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

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更多F4100供应商 更新时间2025-11-30 16:30:00