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F4-6MR20W3M1H_B11

EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC

Features • Electrical features - VDSS = 2000 V - IDN = 160 A / IDRM = 320 A - Overload operation up to 175°C - Suitable Infineon gate drivers can be found under https://www.infineon.com/gdfinder • Mechanical features - Integrated NTC temperature sensor - PressFIT contact technology

文件:949.24 Kbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

F4-6MR20W3M1H_B11

CoolSiC ™ MOSFET 四联模块 2000 V

EasyPACK ™ 3B,CoolSiC ™ MOSFET 四片式模块 2000 V,6 mΩ G1,带 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术 • 高度为 12 毫米的同类最佳封装\n• 前沿的WBG材料\n• 极低的模块杂散电感\n• PressFIT 销\n• 集成NTC温度传感器\n• 宽栅源电压范围\n• 低开关和传导损耗\n• 过载运行温度高达 175°C;

Infineon

英飞凌

F4-75R12MS4

模块

INFINEO

F4VI-J30-14

专业模块

技术参数

  • Housing:

    Easy 3B

  • Dimensions(length):

    110 mm

  • Dimensions(width):

    62 mm

  • Applications:

    ESS

  • Features:

    PressFIT

  • Qualification:

    Industrial

  • Configuration:

    Fourpack

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更多F4-6MR20W3M1H_B11供应商 更新时间2025-11-29 16:06:00