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F3L75R07W2E3_B11	文件：652.17 Kbytes Page：10 Pages	EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
F3L75R07W2E3_B11	文件：822.11 Kbytes Page：11 Pages	EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
F3L75R07W2E3_B11
功能描述：
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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