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F2N60-TD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast Body Diode Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC
FDU2N60C	文件：742.85 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：742.85 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FIR2N60AFG	文件：2.57218 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET-I 文件：2.57218 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR2N60ALG	文件：2.68704 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET-I 文件：2.68704 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

VDSS(V)：
600
VGS(±V)：
±30
ID(A)：
2
RDS(ON)TYP(Ω)：
5.1
RDS(ON)MAX(Ω)：
6
CISSTYP.(pF)：
249
COSSTYP.(pF)：
29
CRSSTYP.(pF)：
3.1
QgTYP.(nC)：
7.2
QgsTYP.(nC)：
2.6
QgdTYP.(nC)：
1.2
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
TrrTYP.(nS)：
83
QrrTYP.(nC)：
208
Package：
TO-92_TO-252_TO251

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