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IRL2910PBF	文件：1.54679 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910PBF	文件：981.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRL2910S	文件：344.25 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910S	文件：189.29 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL2910SPBF	文件：689.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL2910SPBF	文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
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IRLI2910	文件：300.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRLI2910PBF	文件：601.39 Kbytes Page：9 Pages	Logic?밚evelGateDrive	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
F2910EVBI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
包装：
盒
类型：
开关，SPST
频率：
30MHz ~ 8GHz
配套使用/相关产品：
F2910
所含物品：
板
描述：
F2910 SPST RF SWITCH - EVALUATIO

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