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EZJP1V120KM	文件：2.21832 Mbytes Page：16 Pages	Multilayer Varistor Features ●ExcellentESDsuppressionduetooriginaladvancedmaterialtechnology ●HavinglargeelectrostaticresistancemeetingIEC61000-4-2,ISO10605 ●Havingnopolarity(bipolar)facilitatedreplacingZenerDiodes.Capableofreplacing2ZenerDiodesand1Capacitor ●Lead-freeplatingte	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
EZJZ1V120KA	文件：275.98 Kbytes Page：5 Pages	MultilayerVaristorforESDpulse	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
EZJZ1V120KA	文件：169.81 Kbytes Page：5 Pages	MultilayerVaristors	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MKP1V120	文件：53.9 Kbytes Page：6 Pages	SidacHighVoltage SidacHighVoltageBidirectionalTriggers Bidirectionaldevicesdesignedfordirectinterfacewiththeacpowerline.Uponreachingthebreakovervoltageineachdirection,thedeviceswitchesfromablockingstatetoalowvoltageon−state. Features •HighPressureSodiumVaporLighting •Str	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MKP1V120	文件：85 Kbytes Page：4 Pages	SIDACs0.9AMPERESRMS110thru280VOLTS SidacHighVoltageBidirectionalTriggers ...designedfordirectinterfacewiththeacpowerline.Uponreachingthebreakovervoltageineachdirection,thedeviceswitchesfromablockingstatetoalowvoltageon-state.ConductionwillcontinuelikeanSCRuntilthemainterminalcurrentdro	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MKP1V120RL	文件：53.9 Kbytes Page：6 Pages	SidacHighVoltage SidacHighVoltageBidirectionalTriggers Bidirectionaldevicesdesignedfordirectinterfacewiththeacpowerline.Uponreachingthebreakovervoltageineachdirection,thedeviceswitchesfromablockingstatetoalowvoltageon−state. Features •HighPressureSodiumVaporLighting •Str	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MKP1V120RL	文件：58.92 Kbytes Page：5 Pages	SidacHighVoltageBidirectionalTriggers0.9AMPERESRMS120??240VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MKP1V120RLG	文件：58.92 Kbytes Page：5 Pages	SidacHighVoltageBidirectionalTriggers0.9AMPERESRMS120??240VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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