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FQD630TM	文件：707.02 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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FQP630TSTU	文件：739.31 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET Features •9A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical19nC) •LowCrss(typical35pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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