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FQP630中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FQP630
厂商型号

FQP630

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

739.31 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FQP630规格书详情

特性 Features

• 9A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 19 nC)

• Low Crss ( typical 35 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    FQP630

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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