EW-450B-FT资料使用说明书原装现货第10页-114ic电子网

首页 >EW-450B-FT>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IDSR450.X	文件：241.98 Kbytes Page：4 Pages	ClassRK5FusesIDSRSeries Description TheIDSRseriescombinesa600Vdccapabilitywithindicationtoprovideanidealsolutionformanydcapplications. Features&Benefits Excellentshort-circuitprotection-Improvesafetythroughfasterresponsetofaultcurrents Dual-elementdesign-Providesadvancedshortci	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
IF450	文件：1.39757 Mbytes Page：1 Pages	450MHzMicroSphereAntenna	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
IRF450	文件：48.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •13A,500V •RDS(on)=0.4Ω •SOAisPowerDissipationLimited •LinearTransferCharacteristics •RelatedLiterature APPLICATIONS •Designedforapplicationssuchasswitchingregulators, switchingconvertors,motordrivers,relaydriver,anddrivers forhighpowerbipola	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF450	文件：434.5 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrol,circuitsUPSandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNellIRF450isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof14A,fastswitchingsp	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRF450	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF450	文件：196.98 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF450	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF450	文件：19.01 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF450	文件：56.49 Kbytes Page：7 Pages	13A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF450	文件：144.63 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.400ohm,Id=12A) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF450	文件：56.49 Kbytes Page：7 Pages	13A,500V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFC450	文件：47.75 Kbytes Page：1 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETDIE	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFM450	文件：15.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM450	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■HermeticallySeale	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM450	文件：182.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFMA450	文件：163.6 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TablessTO-254AA)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFMA450	文件：166.88 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN450	文件：185.29 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN450	文件：184.1 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) RDS(on)0.415Ω ID12A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN450	文件：218.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.415ohm,Id=12A) RDS(on)0.415Ω ID12A HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establ	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

<<<5 6 7 8 910

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	22+23+	SMD	36001	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	2023+	SMD	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	21+	SMD	65200	一级代理/放心采购	询价
深圳市能创芯电子科技有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	23+	SMD	6000	原装正品假一罚百!可开增票!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	23+	SMD	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	EW-450B-FT	ASAHI	23+	SMD	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	EW-450-FT	ASAHI	2020+	SMD	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	EW-450-FT	ASAHI	21+	SMD	24743	原装现货假一赔十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	EW-450-FT	ASAHI	22+	SMD	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	EW-450-FT	ASAHI	2023+	SMD	24817	专注全新正品,优势现货供应	询价

更多EW-450B-FT供应商更新时间2024-6-6 16:50:00

相关规格书

相关库存