IRF450中文资料PDF规格书
IRF450规格书详情
The HEXFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability.
Features:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Rating
■ Hermetically Sealed
■ Simple Drive Requirements
■ Ease of Paralleling
产品属性
- 型号：
IRF450
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-3P |
12845 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IOR |
23+ |
CAN |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
TO3 |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-3 |
200 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
INFINEON |
2019 |
TO-3 |
55000 |
原装进口假一罚十 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-3 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR/MOT |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-3 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-03 |
30000 |
原装正品 |
询价 |
