IRF450中文资料PDF规格书
IRF450规格书详情
DESCRIPTION
They are designed for use in applications such as switched mode power supplies, DC to DC converters, motor control, circuits UPS and general purpose switching applications.
The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 14A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts.
FEATURES
● RDS(ON) = 0.40Ω @ VGS = 10V
● Ultra low gate charge(150nC Max.)
● Low reverse transfer capacitance
(CRSS = 340pF typical)
● Fast switching capability
● 100 avalanche energy specified
● Improved dv/dt capability
● 150°C operation temperature
产品属性
- 型号：
IRF450
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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