Single-channel isolated gate driver IC with adjustable DESAT and soft-off

Features • 600 V, 650 V, 900 V, and 1200 V IGBTs, SiC and Si MOSFETs • 40 V absolute maximum output supply voltage • ±3 A, ±6 A, and ±9 A typical sinking and sourcing peak output current • Separate source and sink outputs for hard switching and with active Miller clamp/clamp driver • Adjustme

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Infineon

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1ED3491Mx12M 评估板 - 2300 V、9 A、单通道灵活隔离栅极驱动器，具有有源米勒钳位、可调 DESAT 和软关断功能

EVAL-1ED3491MX12M 采用半桥配置，使用两个栅极驱动器 IC（1ED3491MU12M）来驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。它适用于双脉冲测试，具有灵活的开关类型，推荐用于 TRENCHSTOP ™ IGBT IKW40N120H3 或 CoolSiC ™ MOSFET IMW120R030M1H。该板包括用于初级侧和次级侧的电源，并提供用于多功能控制的低压电源接口。 • 两个次级侧均采用电气隔离电源\n • 电阻器功能标记\n • 灵活的单通道栅极驱动器\n • ±9 A 典型值吸收和源峰值输出\n• 绝对最大值 40 V。输出电压\n • 独立的源输出和吸输出\n • 有源米勒钳位\n • 精确的 VCEsat DESAT\n • IGBT 软关断\n • 参数调整。带有分机电阻：\n • 可调节 DESAT 滤波时间\n • 可调节软关断电流水平;

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