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2315	文件：16.99 Kbytes Page：1 Pages	HighpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2315-P	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco	Heyco
2315-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2315-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2315-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2315-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2315-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ACD-2315	文件：368.7 Kbytes Page：3 Pages	XGALEDBACKLITTFTDISPLAYWITHNVISCLASSBCAPABILITY	ACIPOWER Applied Concepts Inc.	ACIPOWER
AM2315	文件：1.02342 Mbytes Page：19 Pages	DigitaltemperatureandhumiditysensorAM2315ProductManual	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AP2315	文件：119.19 Kbytes Page：12 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2315GEN	文件：71.99 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2315A	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2315A	文件：264.55 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
APM2315AC-TR	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2315AC-TRG	文件：264.55 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
APM2315AC-TRL	文件：1.05131 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2315AC-TRL	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2315AC-TU	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2315AC-TUL	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-20V/-4A, RDS(ON)=35mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=45mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=60mW(typ.)@VGS=-1.8V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipm	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
ASICD2315	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICD2315isdesignedforbroadbandamplifierapplicationsincommercialandamateurcommunicationequipment. FEATURES: •PG=18dBmin.at75W/30MHz •IMD3=-30dBcmax.at75W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ET2315供应商更新时间2024-5-27 16:00:00

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