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ET127

TRIPPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINNGTON

文件:128.22 Kbytes 页数:3 Pages

FUJI

富士通

MJD127

Complementary Darlington Power Transistors

Features • D-PAK for Surface Mount Applications • High DC Current Gain • Built-in a Damper Diode at E-C • Lead Formed for Surface Mount Applications • Electrically Similar to Popular TIP122 • Complement to MJD127

文件:284.04 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE127

Germanium PNP Transistor Horizontal Output Amplifier

Germanium PNP Transistor Horizontal Output Amplifier

文件:21.1 Kbytes 页数:2 Pages

NTE

TIP127

DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP12

文件:251.64 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

晶体管资料

  • 型号:

    ET127

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    600V

  • 最大电流允许值:

    100A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    300W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-54

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    100

  • wtest:

    300

详细参数

  • 型号:

    ET127

  • 功能描述:

    Power Module

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更多ET127供应商 更新时间2026-4-20 14:10:00