TIP127分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
TIP127 |
参数属性 | TIP127 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 5A TO220 |
功能描述 | DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
251.64 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Motorola, Inc |
企业简称 |
MOTOROLA【摩托罗拉】 |
中文名称 | 加尔文制造公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-13 23:34:00 |
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TIP127规格书详情
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
• High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP120, TIP125
= 80 Vdc (Min) — TIP121, TIP126
= 100 Vdc (Min) — TIP122, TIP127
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
• TO–220AB Compact Package
产品属性
- 产品编号:
TIP127
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 20mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP DARL 100V 5A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO220 |
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