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BB304A	文件：60.17 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode PreliminaryData ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinLow-distortionback-tobackconfiguration ●Color-codedcapacitancesubgr	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB304C	文件：67.88 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304C	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304CDW-TL-E	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：68.48 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304MDW-TL-E	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-UHR304	文件：967.13 Kbytes Page：4 Pages	IndustrialUSB2.0&3.0Hubs Features(modeldependent) •ExpandoneUSBportto4or7USBports •USB2.0&USB3.0 •ESDprotection •HighretentionUSBconnectorsgripcablestight •Wideoperatingtemperature(USB2.0hubs) •USBhostportpowerorexternalPSUpower •Metalorplasticenclosures–desk,panel,DI	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
BC304	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC304	文件：15.37 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC304	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC304	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC304	文件：133.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEXPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BD304	文件：246.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=30(Min.)@IC=-2A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min.) ·ComplementtoTypeBD303 APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesupto25W,verticaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD304N	文件：1.31669 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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BD304P	文件：1.31667 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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