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ESJA53-18A

5mA Axial Leaded High Voltage Silicon Diode

5mA Axial Leaded High Voltage Silicon Diode Mechanical Data ● Weight: 0.3 grams (approx.) ● Vibration Proof:5 G

文件:120.79 Kbytes 页数:2 Pages

SUNMATE

森美特

ESJA53-18A

High Voltage Silicon Diode

High Voltage Silicon Diode SCOPE This specification provide the ratings and the requirements for high voltage silicon diode ESJA53-18A made by FUJI ELECTRIC CO,. LTD.

文件:146.06 Kbytes 页数:8 Pages

FUJI

富士通

ESJA53-18A

TAIWAN SUNMATE SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

文件:209.798 Kbytes 页数:1 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

ESJA53-18_17

5.0mA 18kV 80nS--HIGH VOLTAGE RECTIFIER DIODES

文件:647.81 Kbytes 页数:2 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

ESJA53-18A

5mA 18kV HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER DIODES

文件:78.77 Kbytes 页数:1 Pages

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

ESJA53-18A

18KV~20KV High voltage diode

Sunmate

森美特

技术参数

  • Io(Ma):

    5.0

  • IFSM(A):

    0.5

  • VF(V):

    60

  • Trr(Ns):

    80

  • PACKAGE:

    DO-312

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SUNMATE(森美特)
2019+ROHS
DIP
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SUNMATE-森美特
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更多ESJA53-18供应商 更新时间2026-4-12 16:00:00