ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

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Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

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适用于 USB 和以太网且具有 25A 8/20us 浪涌额定值的双路 4.5pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管

ESDS314、ESDS312 是一种单向 TVS ESD 保护二极管阵列，用于高达 25A (8/20µs) 的以太网、USB 和通用数据线路浪涌保护。ESDS314、ESDS312 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2（4 级）国际标准中规定的最高水平。\n\n这些器件 每通道 具有 4.5pF IO 电容，因此非常适合用于保护高速接口，如以太网 10/100/1000、USB 2.0 和 GPIO。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 \n\nESDS314、ESDS312 器件采用符合行业标准的 5 引脚 SOT23 封装。 • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护 \n• ±30kV 接触放电 \n• ±30kV 气隙放电\n \n• IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护 \n• 80A (5/50ns) \n \n• IEC 61000-4-5 浪涌保护 \n• 25A (8/20µs)\n• 低浪涌钳位电压在 25A Ipp 下为 6.5V\n \n• IO 电容： \n• 4.5pF（典型值）\n \n• 直流击穿电压：5.5V（最小值）\n• 超低泄漏电流：5nA（典型值）\n• 支持速率高达 5Gbps 的高速接口\n• 工业温度范围：-40°C 至 +125°;

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丝印：1R4B；Package：SOT-23；ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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丝印：1R4B；Package：SOT-23；ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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丝印：1R4B；Package：SOT-23；ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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ESDS31x Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array

1 Features • IEC 61000-4-2 ESD protection: – ±30kV Contact Discharge – ±30kV Air Gap Discharge • IEC 61000-4-4 EFT protection: – 80A (5/50ns) • IEC 61000-4-5 surge protection: – 25A (8/20μs) • IO capacitance: – 4.5pF (typical) • DC breakdown voltage: 5.5V (minimum) • Ultra low leakage c

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