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ESD11N5.0ST5G

丝印:N5S0;Package:DSN2;Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

The ESD11N is designed to protect voltage sensitive components that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at

文件:138.69 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD11N5.0ST5G

Package:0201(0603 公制);包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

ONSEMI

安森美半导体

ESD12A211TRP

SOD323

ASIM

阿赛姆

上传:深圳市芯诚微科技有公司

ESD200B1CSP0201XTSA1

WLL-2

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市富源半导体有限公司

ESD3V3D5-TP

SMD

产品属性

  • 产品编号:

    ESD11N5.0ST5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.8V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    12V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DSN(0.60x0.30)

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESD11N5供应商 更新时间2026-3-18 23:00:00