| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
丝印:N5S0;Package:DSN2;Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection The ESD11N is designed to protect voltage sensitive components that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at 文件:138.69 Kbytes 页数:4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:0201(0603 公制);包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
SOD323 | ASIM | |||
WLL-2 | INFINEON | |||
SMD | MCC | MCC |
产品属性
- 产品编号:
ESD11N5.0ST5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
散装
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.8V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
12V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
1A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
0201(0603 公制)
- 供应商器件封装:
2-DSN(0.60x0.30)
- 描述:
TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
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