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ES6U41

丝印:U41;Package:WEMT6;2.5V Drive NchSBD MOSFET

文件:185.39 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

ES6U41

丝印:U41;Package:WEMT6;2.5V Drive NchSBD MOSFET

文件:198.92 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

ES6U41

2.5V Drive Nch+SBD MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。通过融合采用细微流程的低阻值MOSFET与肖特基二极管(SBD)形成了多种产品线来对应多样的市场需求。 •1.6×1.6mm安装面积的高功率小空间的MOSFET;

ROHM

罗姆

ES6U41_12

2.5V Drive NchSBD MOSFET

文件:198.92 Kbytes 页数:5 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    WEMT6

  • 包装数量:

    8000

  • 最小独立包装数量:

    8000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    SOT-563T

  • JEITA Package:

    SC-120

  • Package Size[mm]:

    1.6x1.6 (t=0.6)

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    Nch+Schottky

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    30

  • Drain Current ID[A]:

    1.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.24

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.18

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.17

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.24

  • Total gate charge Qg[nC]:

    1.6

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.7

  • Drive Voltage[V]:

    2.5

  • Reverse voltage VR (Diode) [V]:

    20.0

  • Forward Current IF (Diode) [A]:

    0.5

  • Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]:

    2.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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