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ES513

温度补偿双极锁存型霍尔效应传感器

ES513/ES413是基于双极半导体(Bipolar)工艺设计和生产的霍尔效应传感器开关电路。器件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、反向电压保护器、信号放大处理电路、施密特触发器和一个开集电极输出驱动三极管。ES513内部补偿特性使其灵敏度随温度升高略有升高,特别适合与常用的低成本磁钢匹配。增强的输出驱动电路可以驱动更大的电流,降低器件内部功耗。ES513可以耐受60V高压冲击。以上特性大大提高了器件的可靠型,非常适合在汽车、工业电器和家电等产品中用作固态电子开关。\n ES513为贴片SOT-89封装。ES413是相同电路的TO-92S直插封装,两种封装都符合RoSH环保标准。 • 连续磁场检测\n• 快速上电工作时间(2uS)\n• 灵敏度温度补偿\n• 反向电压保护\n• 开集电极输出,最大灌电流:50mA\n• 耐60V高压冲击\n• ESD 5000V\n• 宽工作电压:+3.8V ~ 30V\n• 宽工作温度:-40℃ ~ 150℃;

InnoSen

易良盛

InnoSen

ES5130A-12.800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

文件:95.62 Kbytes 页数:4 Pages

ECLIPTEK

ES5130A-12800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130AV-12.800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130AV-12800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

文件:95.62 Kbytes 页数:4 Pages

ECLIPTEK

ES5130B-12.800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130B-12800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130BV-12.800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130BV-12800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

ES5130C-12.800M

4.5mmHEIGHT THRU-HOLE SINEWAVE TCXO

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ECLIPTEK

技术参数

  • 工作电流(mA):

    5

  • 触发场强(mT):

    0.5~9

  • 释放场强(mT):

    -9~-0.5

  • 磁场回差(mT):

    9

  • 温度范围(℃):

    -40~150

  • 封装:

    LT

  • 工艺:

    Bipolar

  • 备注:

    60V耐压,大电流驱动,温度补偿

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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Sot-89
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更多ES513供应商 更新时间2026-1-10 15:05:00