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ERJ-XGNF2053Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：01005（0402 公制）类别：电阻器片式电阻器 - 表面贴装描述：RES 205K OHM 1% 1/32W 01005	Panasonic Electronic Components Panasonic Electronic Components	Panasonic Electronic Components
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2053	文件：237.88 Kbytes Page：2 Pages	LightDuty2-ElectrodeMiniatureGasDischargeTube	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AN2053	文件：323.25 Kbytes Page：15 Pages	SLICprotectionforbothclassicalandnewnetworks	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
C2053	文件：123.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFamplifiersonVHFbandMobileradioapplications) 2SC2053isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesingedforRFamplifiersonVHFbandmobilearadioapplications.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
C2053A	文件：73.03 Kbytes Page：1 Pages	HOOK-UPWIRE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CKN2053	文件：1.45355 Mbytes Page：5 Pages	MiniatureSnap-inPowerRockerSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
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CXD2053AS	文件：196.8 Kbytes Page：14 Pages	AutoWide,EDTV-IIIDDetection,ID-1Detection Description TheCXD2053AM/ASisanICwhichhasthethreefunctionsofidentifyingthewidevideo(autowide),detectingtheEDTV-IIID,anddetectingID-1(EIAJ,CPX1024)fromthevideosignal. Features •VideoaspectratioidentificationusedwithwideTVsisrealizedwithasinglechip. •I	SonySONY 索尼索尼	Sony
D2053	文件：245.67 Kbytes Page：2 Pages	TransistorOutputRepeaterDIN-RailModelD2053M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMIG.M. International Gm 国际公司	GMI
D2053M	文件：245.67 Kbytes Page：2 Pages	TransistorOutputRepeaterDIN-RailModelD2053M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMIG.M. International Gm 国际公司	GMI
D2053UK	文件：20.24 Kbytes Page：2 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom1MHzto1GH	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DK2053	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
DK2053WB	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
DMC2053UFDB	文件：579.24 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMC2053UFDBQ	文件：554.6 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspecificcha	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMC2053UVT	文件：560.38 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMC2053UVTQ	文件：509.31 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2053U	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN2053UFDB	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
ERJ-XGNF2053Y
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电阻器 > 片式电阻器 - 表面贴装
系列：
ERJ-XGN
包装：
卷带（TR）
容差：
±1%
功率 (W)：
0.03W，1/32W
成分：
厚膜
温度系数：
±200ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 125°C
封装/外壳：
01005（0402 公制）
供应商器件封装：
01005
大小 / 尺寸：
0.016" 长 x 0.008" 宽（0.40mm x 0.20mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.006"（0.15mm）
描述：
RES 205K OHM 1% 1/32W 01005

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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