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IMIC9530CYT	文件：263.15 Kbytes Page：11 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9530CYT	文件：154.45 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise,crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33.3MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Outputgroupedintwobanksoffiveclockseach •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfac	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
IRF9530	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9530	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9530	文件：63.6 Kbytes Page：7 Pages	12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs 12A,100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepowe	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9530	文件：449.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTORS Features: ■P-ChannelVersatility ■CompactPlasticPackage ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EaseofParalleling ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530	文件：1.26984 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-13A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF9530	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9530	文件：158.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	ERFA2902-CM	FITEL	1922+	NA	3000	绝对进口原装现货	询价
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