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EPMR04N65M

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

FTA04N65

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

文件:54.71 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FTA04N65C

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

文件:54.71 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

M04N65D

Power MOSFET

文件:1.07714 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    650

  • V GS(V):

    ±30

  • V th (V):

    2.5/3.5/4.5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    2200/2600

  • Ciss(pF):

    518

  • Coss (pF):

    41.6

  • Crss(pF):

    4.5

  • Qg (nC)=10V:

    15.4

  • Qgs(nC):

    2

  • Qgd(nC):

    7.3

  • Rg W:

    2.6

  • EAS(mJ):

    240

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    4

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    2.5

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    42

  • ESDDiode:

    X

  • SchokktyDiode:

    X

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更多EPMR04N65M供应商 更新时间2025-11-3 11:05:00