| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
EPC2030 | 增强型功率晶体管 • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率\n• 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗\n• 占板面积更小– 实现更高功率密度的电源转换; | EPC 宜普 | EPC | |
EPC2030 | Enhancement Mode Power Transistor 文件:1.25049 Mbytes 页数:6 Pages | EPC-CO | EPC-CO | |
20.0A GLASS PASSIVATED SUPERFAST RECTIFIER 文件:163.86 Kbytes 页数:2 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | ZSELEC | ||
20.0A GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER 文件:167.67 Kbytes 页数:2 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | ZSELEC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件:295.66 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC |
技术参数
- 配置:
单路
- VDS最大值:
40
- VGS最大值:
6
- RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS:
2.4
- QG(nC)典型值:
17
- QGS(nC)典型值:
5.8
- QGD(nC)典型值:
3.4
- QOSS(nC)典型值:
32
- ID (A):
48
- 脉冲电流 ID (A):
490
- 封装(mm):
BGA 4.6 x 2.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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EPC |
25+ |
SMD |
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