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EPC2021

Enhancement Mode Power Transistor

文件:1.37056 Mbytes 页数:6 Pages

EPC

EPC

EPC2021

80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor

文件:1.24614 Mbytes 页数:6 Pages

EPC-CO

EPC-CO

EPC2021

增强型功率晶体管

• 更高开关频率 – 更低开关损耗、更低功率驱动器\n• 更高效 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗/li>• 更细小尺寸 - 更高功率密度\n• 更低导通电阻RDS(on) - 工作在更高电流;

EPC

宜普

EPC

F2021

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

7.5Watts Single Ended Package Style AP HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, M

文件:37.6 Kbytes 页数:2 Pages

Polyfet

F2021ERW

Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters

Key Features: • 20W Output Power • 2:1 Input Voltage Range • 1,500 VDC Isolation • Single & Dual Outputs • Efficiency to 86 • Compact 1.6 x 2 In. Case • -40°C to +71°C Operation • Industry Standard Pin-Out • Lowest Cost!!

文件:225.6 Kbytes 页数:2 Pages

MPD

F2021ERW

F2000ERW SERIES

文件:217.73 Kbytes 页数:2 Pages

MPD

技术参数

  • 配置:

    单路

  • VDS最大值:

    80

  • VGS最大值:

    6

  • RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS:

    2.2

  • QG(nC)典型值:

    15

  • QGS(nC)典型值:

    4.1

  • QGD(nC)典型值:

    3

  • QOSS(nC)典型值:

    72

  • ID (A):

    90

  • 脉冲电流 ID (A):

    390

  • 封装(mm):

    LGA 6.05 x 2.3

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更多EPC2021供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00