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G2N7002	文件：322.06 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELTRANSISTOR 文件：322.06 Kbytes 页数：3 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
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G2N7002K	文件：368.58 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：368.58 Kbytes 页数：4 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM

技术参数

ProductStatus：
Released
MOSFET Type：
N
VDS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ESDHBM(KV)：
2000
Vgs(th)Min(V)：
1
Vgs(th)Typ(V)：
1.45
Vgs(th)Max(V)：
2
Rdson @10V Typ(mΩ)：
1700
Rdson @10V Max(mΩ)：
2000
Rdson @4.5V Typ(mΩ)：
2600
Rdson @4.5V Max(mΩ)：
3000
Rdson @2.5V Typ(mΩ)：
—
Rdson @2.5V Max(mΩ)：
—
Configuration：
Single
Package：
SOT-23
ID（A）：
0.38

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