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EMZB08P03G	文件：192.93 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：192.93 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMZB08P03G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
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EMZB08P03V	文件：211.27 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 8.5mΩ ID ‐25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection 文件：211.27 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-15
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
8.5
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
15
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
54
CissTyp.(pF)：
3091

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