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EMX1DXV6T1G	文件：56.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor DualNPNGeneralPurposeAmplifierTransistor ThisNPNtransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSOT-563packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •ReducesBoardSpace •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NSVEMT1DXV6T1G	文件：60.33 Kbytes Page：4 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
EMX1DXV6T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多EMX1DXV6T1G供应商更新时间2025-7-15 15:38:00

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