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EMT18	文件：78.53 Kbytes Page：4 Pages	丝印：T18；Package：EMT6；General purpose transistors (dual transistors) 文件：78.53 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMT18	文件：716.01 Kbytes Page：4 Pages	丝印：T18；Package：EMT6；General purpose transistors(dual transistors) 文件：716.01 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMT18	文件：114.55 Kbytes Page：4 Pages	丝印：T18；Package：EMT6；General purpose transistors (dual transistors) 文件：114.55 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMT18	文件：3.20678 Mbytes Page：3 Pages	DUAL TRANSISTOR(PN PPNP) 文件：3.20678 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMT18_1	文件：114.55 Kbytes Page：4 Pages	General purpose transistors (dual transistors) 文件：114.55 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMT18_10	文件：716.01 Kbytes Page：4 Pages	General purpose transistors(dual transistors) 文件：716.01 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMT18	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(BIP+BIP) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •增幅用超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-12
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.5
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-12
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.5
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
2SA2018 / 2SA2018
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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更多EMT18供应商更新时间2025-10-9 9:05:00

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