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EMP85N10G	文件：184.73 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 8.5mΩ ID 14A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.73 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMP85N10G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMP85N10H	文件：222.62 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：222.62 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
HMS85N10DA	文件：498.28 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Super Trench II Power MOSFET 文件：498.28 Kbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS85N10KA	文件：550.26 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Super Trench II Power MOSFET 文件：550.26 Kbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
14
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
8.5
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
10.5
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
78
CissTyp.(pF)：
4430

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMP85N10G供应商更新时间2025-12-5 14:02:00

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