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EMH2417R	文件：400.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：400.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2417R-TL-H	文件：400.45 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：400.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2417R	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET, 12V, 11A, 10mΩ, Dual EMH8 Common Drain EMH2417R is N-Channel Power MOSFET, 12V, 11A, 10mΩ, Dual EMH8 Common Drain for LiB charging and discharging switch. 2.5V drive\nSuites for Li-Ion battery pack protection circuit(1cell, 2cell)\nCommon-drain type\nBest suited for Li-Ion battery pack protection circuit\nProtection diode in\nStronger to ESD\nHalogen free compliance\nEnvironmental consideration;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EVB2417	文件：468.93 Kbytes Page：10 Pages	1218 MHz CATV Push-Pull Driver Amplifier 文件：468.93 Kbytes 页数：10 Pages	SKYWORKS 思佳讯	SKYWORKS
HI-2417	文件：258.57 Kbytes Page：3 Pages	CAPACITIVE TOUCH LIGHT DIMMER CIRCUITS 文件：258.57 Kbytes 页数：3 Pages	HOLTIC 霍尔特	HOLTIC
K2417	文件：409.9 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：409.9 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
N-Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
12
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
Condition
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
Package Type：
SOT-383FL / EMH-8

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