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EMDA1N10F	文件：204.44 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
CCF1N10	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
CCF1N10TTE	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
EMBA1N10Q	文件：202.03 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID4.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10A	文件：228.68 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
RFL1N10	文件：30.55 Kbytes Page：4 Pages	1A,80Vand100V,1.200Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A,180Vand200V,3.65Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10L	文件：29.9 Kbytes Page：5 Pages	1A,100V,1.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	EMDA1N10F	EMC-义隆	24+25+/26+27+	TO-220-3	57500	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	EMDA2N20F		23+	N/A	12850	正品授权货源可靠	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	EMDA4N20A	EMC	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	EMDA4N20A	EMC	20+	TO-252	100	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市华鑫创达电子有限公司	EMDA4N20AIC	EMC	22+	TO-252	10000	原装现货,假一赔十	询价
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