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EMDA0P10G	文件：183.35 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐100V RDSON (MAX.) 120mΩ ID ‐3.4A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.35 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMDA0P10G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
MTDA0P10FP	文件：302.26 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：302.26 Kbytes 页数：6 Pages	CYSTEKEC 全宇昕科技	CYSTEKEC
BZW0P10	文件：105.84 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resistance • Sold 文件：105.84 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BZW0P10	文件：55.6 Kbytes Page：4 Pages	TRANSZORB??TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Stand-off Voltage - 5.8 to 376 Volts Peak Pulse Power - 400 Watts FEATURES ♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ♦ Glass passivated chip junction ♦ 400W peak pulse power capability with a 10/1000µs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.0 文件：55.6 Kbytes 页数：4 Pages	GE	GE
BZW0P10	文件：3.83248 Mbytes Page：4 Pages	Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resist 文件：3.83248 Mbytes 页数：4 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-3.4
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
120
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
59
CissTyp.(pF)：
3520

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更多EMDA0P10G供应商更新时间2026-1-28 14:14:00

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