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EMD6	文件：516.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D6；Package：MET6；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：516.34 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD6	文件：66.65 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D6；Package：MET6；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：66.65 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD6	文件：373.8 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D6；Package：MET6；Packaging specifications surface mounting type 文件：373.8 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD6	文件：465.67 Kbytes Page：1 Pages	DIGITAL TRANSISTOR (NPN PNP) FEATURES ● DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：465.67 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
EMD6	文件：7.742 Mbytes Page：5 Pages	Dual Digital Transistors (NPNPNP) Dual Digital Transistors (NPN+PNP) FEATURES ● DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：7.742 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMD6	文件：517.02 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D6；Package：MET6；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：517.02 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD6	文件：1.89696 Mbytes Page：11 Pages	丝印：D6；Package：MET6；General purpose (dual digital transistor) 文件：1.89696 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD60N15E	文件：230.64 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 150V RDSON (MAX.) 60mΩ ID 43A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.64 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD6_15	文件：1.89696 Mbytes Page：11 Pages	General purpose (dual digital transistor) 文件：1.89696 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMD60N10A	文件：231.64 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.64 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
25
ID(A)：
20
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
60
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.6
CissTyp.(pF)：
770

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	EMD6	CJ/长电	2021+	SOT-563	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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更多EMD6供应商更新时间2025-10-7 9:31:00

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